การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง

Abstract

ฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ (CrVN) ถูกเคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริงบนกระจกสไลด์และซิลิกอน เพื่อศึกษาผลของกระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์ของเปาวาเนเดียม (IV) ต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟืล์ม ด้วยเทคนิค XRD และ AFM ตามลําดับ ผลการศึกษาพบว่าค่ากระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์เปาวาเนเดียมมีผลโดยตรงต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟิล์ม ฟิล์มที่ได้แสดงโครงสร้างผลึกของวาเนเดียมไนไตรด์ ระนาบ(222) (400) และ (404) ความหนาและความหยาบผิวของฟิล์มที่ได้มีค่าในช่วง 883 -1048 นาโนเมตร และ 3.75-4.96 นาโนเมตรตามลําดับ