DSpace Repository

การเคลือบและปรับปรุงผิวฟิล์มบางไทเทเนียมอลูมิเนียมอัลลอยด์ด้วยวิธีสปัตเตอริงสำหรับงานป้องกันการกัดกร่อน

Show simple item record

dc.contributor.author อรรถพล เชยศุภเกตุ
dc.contributor.author ธนัสถา รัตนะ
dc.contributor.other มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned 2020-09-22T02:04:21Z
dc.date.available 2020-09-22T02:04:21Z
dc.date.issued 2561
dc.identifier.uri http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/3962
dc.description โครงการวิจัยประเภทงบประมาณเงินรายได้ (เงินอุดหนุนจากรัฐบาล) ประจำปีงบประมาณ พ.ศ. 2561 th_TH
dc.description.abstract ฟิล์มบางไทเทเนียมอลูมิเนียมอัลลอยด์เคลือบบนแผ่นซิลิกอนและแผ่นสแตนเลสสตีลด้วยวิธีสปัตเตอริง โดยศึกษาผลของกระแสไฟฟ้าให้กับเป้าสารเคลือบไทเทเนียมและอลูมิเนียม ความดันรวมขณะเคลือบ และระยะห่างจากเป้าสารเคลือบถึงวัสดุรองรับ ที่มีต่อสมบัติทางกายภาพของฟิล์มที่เคลือบได้ด้วย EDX, XRD, SEM, AFM, การวัดมุมสัมผัส และโพเทนชิโอสแตท จากผลการทดลอง เมื่ออัตราส่วนของกระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้กับเป้าสารเคลือบอลูมิเนียมต่อไทเทเนียมเพิ่มขึ้นจาก 0.375 ถึง 1.5 พบว่าอัตราส่วนของปริมาณธาตุอลูมิเนียมต่อไทเทเนียมในฟิล์มเพิ่มขึ้น ในขณะที่เมื่ออัตราส่วนของกระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้กับเป้าสารเคลือบอลูมิเนียมต่อไทเทเนียมเท่ากับ 1.0 และ 1.5 ฟิล์มที่เคลือบได้มีโครงสร้างผลึกแบบเตตระโกนอลซึ่งเป็นเฟส -TiAl โดยที่อัตราส่วนของ กระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้กับเป้าสารเคลือบอลูมิเนียมต่อไทเทเนียมเท่ากับ 1.5 ฟิล์มที่เคลือบได้มีความเป็นผลึก ความหยาบผิว ความไม่ชอบน้ำ และความต้านทานต่อการกัดกร่อนมากที่สุด เมื่อความดันรวมขณะเคลือบเพิ่มขึ้นจาก 3.0x10-3 mbar ถึง 6.0x10-3 mbar พบว่าฟิล์มที่เคลือบได้มีขนาดผลึกความหยาบผิว ความหนา และความไม่ชอบน้ำลดลง โดยฟิล์มเคลือบได้ที่ความดันรวมขณะเคลือบเท่ากับ 3.0x10-3 mbar มีอัตราการกัดกร่อนน้อยที่สุด เมื่อระยะห่างจากเป้าสารเคลือบถึงวัสดุรองรับเพิ่มขึ้นจาก 12 cm ถึง 16 cm พบว่าอัตราส่วนของปริมาณธาตุอลูมิเนียมต่อไทเทเนียมในฟิล์ม ความเป็นผลึก ขนาดผลึก ขนาดเกรน ความหนา และอัตราการกัดกร่อนของฟิล์มที่เคลือบได้มีค่าลดลง th_TH
dc.description.sponsorship สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ th_TH
dc.language.iso th th_TH
dc.publisher คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา th_TH
dc.subject สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) th_TH
dc.subject สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ th_TH
dc.title การเคลือบและปรับปรุงผิวฟิล์มบางไทเทเนียมอลูมิเนียมอัลลอยด์ด้วยวิธีสปัตเตอริงสำหรับงานป้องกันการกัดกร่อน th_TH
dc.title.alternative The Deposition and Surface Modification of TiAl Alloy Thin Films by Sputtering Method for Anticorrosion Application en
dc.type Research th_TH
dc.author.email c_attapol@hotmail.com th_TH
dc.author.email tanattha@buu.ac.th th_TH
dc.year 2561 th_TH
dc.description.abstractalternative Titanium aluminium (TiAl) alloy thin films were deposited on silicon wafer and stainless steel substrate by sputtering method. The effects of Ti and Al target currents, total pressure and target-substrate distance on physical properties of the deposited films were investigated using EDX, XRD, SEM, AFM, contact angle measurement and Potentiostat. In the experiment, when the ratio of Al/Ti target currents increased from 0.375 to 1.5, the Al/Ti ratio of the deposited films increased. When the ratio of Al/Ti target currents were 1.0 and 1.5, the deposited film structure exhibited -TiAl phase with tetragonal crystal structure. Moreover, the ratio of Al/Ti target current of 1.5 provided the deposited film with the highest crystallinity, surface roughness, hydrophobicity, and corrosion resistance. When the total pressure increased from 3.0×10-3 mbar to 6.0×10-3 mbar, the results revealed that the crystal size, surface roughness, thickness and hydrophobicity of deposited films were decreased. The deposited film with the total pressure of 3.0×10-3 mbar had the least corrosion rate. When the target-substrate distance increased from 12 cm to 16 cm, the results showed that the Al/Ti ratio, crystallinity, crystal size, grain size, thickness and corrosion rate of deposited film were decreased. en


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account